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产品简介：
低真空CVD系统，采用双层壳体结构，配有冷风系统自动降温炉壳温度不超过45℃，温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，使用日本技术真空吸附成型的高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，材料保温性能好、反射率高、温场均衡。
低真空CVD系统工作温度为300℃至1200℃，配备真空系统，气体混合装置。采用了温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，有非常好的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
产品用途：
此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
产品优势：
1 、控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2、 中低真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击真空泵，防止意外漏气造成真空泵损坏，延长系统使用寿命。
产品参数：
低真空CVD系统，采用双层壳体结构，配有冷风系统自动降温炉壳温度不超过45℃，温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，使用日本技术真空吸附成型的高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，材料保温性能好、反射率高、温场均衡。
低真空CVD系统工作温度为300℃至1200℃，配备真空系统，气体混合装置。采用了温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，有非常好的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
产品用途：
此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
产品优势：
1 、控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2、 中低真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击真空泵，防止意外漏气造成真空泵损坏，延长系统使用寿命。
产品参数：
| 产品名称 | 低真空CVD系统 |
| 产品型号 | KJ-T1200-S60-CVD |
| 管式炉部分 | |
| 炉体结构 | 双层壳体结构，配有冷风系统自动降温炉壳温度不超过45℃ |
| 炉膛材质 | 日本技术真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，材料保温性能好、反射率高、温场均衡 |
| 最高温度 | 1200℃ |
| 连续工作温度 | 1100℃ |
| 升温速度 | 推荐≤10℃/min，最快升温速度20℃/min |
| 炉管材料 | 高纯石英管 |
| 炉管尺寸 | OD:60mm* ID:54mm * 长1200mm 仪器使用前必须放入管堵，防止热辐射 |
| 加热区长度 | 220+220+220mm |
| 法兰 | 不锈钢密封法兰，拆卸方便，法兰上装有精密针阀 |
| 温控系统 | 温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能 1、采用PID方式调节控温，可设置30段升降温程序 2、控温精度±1ºC 3、具有过温保护、断偶保护 4、仪表具有温度自整定的功能 |
| 加热元件 | 含钼合金电阻丝 |
| 测温元件 | K型热电偶 |
| 工作电源 | AC220V，50/60Hz |
| 额定功率 | 5KW |
| 进出气口 | 法兰上含有真空连接口，进出气口 |
| 气路系统部分 | |
| 质量流量计 | 四路精密质量流量计：数字显示、气体流量自动控制。 MFC1 范围: 0-500 sccm(量程可选) MFC2 范围: 0-500 sccm(量程可选) MFC3 范围: 0-500 sccm(量程可选) MFC4 范围: 0-500 sccm(量程可选) 气路:4 路 流量精度: 0.2% |
| 真空系统部分 | |
| 真空泵 | 1.DRV10旋片泵抽速2L/S 2.极限真空度：7*10-2Torr 3.数显真空计，实时显示真空度，真空显示范围：1×105--1×10-1pa |
| 标准配置 | 主机 1 台，流量计 1 套、真空泵 1 套，密封法兰 1 对，石英管 1 支， 密封圈4 个，炉堵 6 个，坩埚钩 1 把，高温手套 1 副、拆卸扳手 1把、说明书 1 份、合格证保修卡 1 份 |
